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介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足.制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性.
一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法
【摘 要】
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介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻
【机 构】
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中科院上海技术物理研究所
【出 处】
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科学技术与工程
【发表日期】
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2014年21期
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