【摘 要】
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采用射频溅射法制备了纳米'铁磁金属-半导体基体'Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在
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采用射频溅射法制备了纳米'铁磁金属-半导体基体'Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性弛豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生'铁磁态-类自旋玻璃态'转变,探讨分析了在低温下颗粒膜发生结构变化的原因.
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