论文部分内容阅读
给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型，该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律．分析和对比结果显示，该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性，是一个较为理想的解析模型。
槽栅MOSFET’S的阈值电压解析模型
【摘 要】
：
给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型，该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律．分析和对比结果显示，该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性，是一个
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2004年4期
【基金项目】
：
中国科学院科技创新基金 ( No.CXJJ-5 5 ),,信息产业部电子预研基金 ( No.5 7.7.6.9)资助项目~~
其他文献
职业教育已越来越重要，国家已从各个层面反复强调职业教育是未来工业的基础，十二五出台了许多政策来发展职业教育，中职和高职是职业教育最重要的组成部分。未来制造工业的发展需
伴随教育信息化2.0的时代来临,智慧校园将飞跃地发展。如何做好智慧校园的规划将影响学校的信息化进一步发展。本文以广州市财经职业学校的智慧课室为例,分析智慧课室建设过
随着社会价值观的改变和网络通讯化高度发展，对德育工作带来了巨大的挑战。高校辅导员既要从自身出发，不断提高教育和管理的水平，提升自身的德育素养，还要协调处理好与学管部门、
目的：探讨血红蛋白与血粘度的相关性。方法：测定486例体检人员的血红蛋白和血粘度值，并加以对照。结果：血红蛋白升高组，血粘度异常达73．42％，血红蛋白正常组，血粘度异常为36．61％，经检验，两
结合AM0太阳光谱特性对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析，得到了最小反射时的最佳膜厚．分别讨论了单、双、三层减反射膜厚度变化对反射率的影响，并对有钝化层的SiO2(94nm
用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜．研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱，并研究了CdTe表面和CdS／CdTe界面的PL谱
室温下Pd氢化物具有良好的氢同位素排代性能，但前提条件是钯粉末在填充柱内均匀分布。直接填充粉末钯过程中，柱内钯分布的均匀性不易控制，更严重的是经吸／放氢循环后，钯柱的径向、