【摘 要】
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分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶片进行了超精密加工,通过调整抛光液体积流量、抛光头转速、抛光压力以及抛光时间等工艺参数对SiC晶片进行了对比加工实验.采用原子力显微镜(AFM)对CMP前后SiC晶片的Si面粗糙度进行了测试,并对各工艺参数对晶片粗糙度的影响进行了分析.经过对工艺参数的优化,得到了表面粗糙度为0.099 nm的超光滑表面SiC晶片.
【机 构】
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同辉电子科技股份有限公司,石家庄050200
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分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶片进行了超精密加工,通过调整抛光液体积流量、抛光头转速、抛光压力以及抛光时间等工艺参数对SiC晶片进行了对比加工实验.采用原子力显微镜(AFM)对CMP前后SiC晶片的Si面粗糙度进行了测试,并对各工艺参数对晶片粗糙度的影响进行了分析.经过对工艺参数的优化,得到了表面粗糙度为0.099 nm的超光滑表面SiC晶片.
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