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采用干O2+CHCCl3(TCE)氧化并进干/湿NO退火工艺生长6H-SiC MOS器件栅介质,研究了SiO2/SiC界面特性.结果表明,NO退火进一步降低了SiO2/SiC的界面态密度和边界陷阱密度,减小了高场应力下平带电压漂移,增强了器件可靠性,尤其是湿NO退火的效果更为明显.
一种新型的6H—SiC MOS器件栅介质制备工艺
【摘 要】
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采用干O2+CHCCl3(TCE)氧化并进干/湿NO退火工艺生长6H-SiC MOS器件栅介质,研究了SiO2/SiC界面特性.结果表明,NO退火进一步降低了SiO2/SiC的界面态密度和边界陷阱密度,减小了
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2005年1期
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