【摘 要】
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提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体（CMOS）宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采
【机 构】
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华侨大学信息科学与工程学院,厦门市专用集成电路系统重点实验室
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提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体（CMOS）宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采用电感匹配技术,进一步减小了芯片的面积.该低噪声放大器基于TSMC 0.18μm RF CMOS 1.8V的工艺设计,仿真和验证采用Cadence公司的Spectre工具.结果表明：在150～600MHz频带内的噪声系数为3.9dB,输入匹配参数S11小于-11.7dB,输入3阶截点IIP3为1.03dBm.
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