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以辛基酚聚氧乙烯（10）醚为有机添加剂，阴极电沉积制备了ZnO薄膜。经超声处理后，用X-射线衍射仪和光致发光光谱仪研究了ZnO薄膜的结构、应力状态和发光性能的变化。结果表明：样品的结晶性能变差，晶格内部的压应力变为张应力，于λ=395nm处的激子发光峰和λ-580nm处的黄光发光峰强度比减小，同时发光谱中又出现了于λ=428nm的蓝光峰。分析认为λ位于580nm处的黄光发射是由VoZni复合缺陷与价带顶的跃迁引起的，而λ位于428nm的蓝光发射则是由Zni与价带硕之间的跃迁引起。