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本文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入-室温退火-再次热电子注入-再次退火试验，并利用高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观界面态热电子注入的感生及室温退火等角度研究了MOS结构热载子损伤及退火特性，为全面揭示SHE热载子损伤机制及发展抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。