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随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应（HCI）进行了仿真研究。
电路级热载流子效应仿真研究
【摘 要】
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随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以
【机 构】
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中国电子科技集团公司第58研究所
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2014年4期
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