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使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响.数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上移动,且电子趋近表面.
压力下半导体GaAs的电子表面态
【摘 要】
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使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响.数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上
【机 构】
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内蒙古大学理工学院物理系
【出 处】
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内蒙古大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年6期
【基金项目】
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内蒙古自然科学基金，国家回国人员科研项目
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