【摘 要】
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对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而A
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083
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对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电,表现为P型。本文采取多种方法,现已获得1016～1018cm-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后,对激活退火进行了研究。结果发现,需要在汞压下经过高温退火,As原子才能占据Te位成为受主杂质。文章同时对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。
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