低温下功率MOSFET的特性分析

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【摘要】

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文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相

【作者】

：

胡高宏张玉林丘明齐志平冯之钺

【机构】

：

中国科学院电工研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

功率MOSFET 低温闽值电压通态阻抗 Power MOSFET Cryogenic temperature Threshold voltage On

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文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显.通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降.

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