论文部分内容阅读
合成绝缘子高压端是绝缘子电场强度最大的位置,也是最容易形成碳化导电通道的位置。为了发现高压端的短路缺陷,作者对220kV合成绝缘子高压端正常情况下,金属性短路和半导体短路情况下的径向电场强度进行了测量。试验结果表明,导电通道明显降低了高压端径向电场强度,可以采用测量径向电场的方法检测220kV合成绝缘子高压端的碳化导电通道缺陷。