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采用传输矩阵法，通过数值计算模拟的方式，研究周期数和缺陷位置对一维光子晶体缺陷模的影响，结果表明：对于镜像对称结构一维光子晶体，当两侧基元介质周期数不相等时，缺陷模的透射率下降，且周期不对称度越大，缺陷模透射率下降越快；对于含缺陷单元的周期性排列结构一维光子晶体，当含缺陷单元偏离周期性排列结构中间时，缺陷模的透射率下降，而且偏离结构中心越远，缺陷模透射率下降越快。