P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zw9885

【摘要】

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提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器（QWIP）结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基

【作者】

：

邓和清林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中

【机构】

：

厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

张应变锗硅量子阱红外探测器 tensile strained layer Si/SiGe quantum well infrared detector

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提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器（QWIP）结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与p型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.

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