【摘 要】
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采用多孔阳极氧化铝（AAO）模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列靶,并用扫描电子显微镜（SEM）、能谱（EDS）和X射线衍射（XRD）对其进行了结构表征。结果表明：去除AAO模板后铜纳米
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心
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采用多孔阳极氧化铝（AAO）模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列靶,并用扫描电子显微镜（SEM）、能谱（EDS）和X射线衍射（XRD）对其进行了结构表征。结果表明：去除AAO模板后铜纳米线平均直径比去除AAO模板前的平均孔径大32%,长度缩短5%。对电沉积2 000 s的样品进行铜纳米线长度分布表征,结果显示：距离模板圆心越远,铜纳米线越长。与超短脉冲激光相互作用实验结果表明：纳米线平均长度在18~50μm范围内,铜Kα光子产额先随纳米线长度增加而增加,当长度大于33μm时,铜Kα光子产额开始下降
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