【摘 要】
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为了减小场发射的屏蔽效应，采用图形化技术对氧化锌（ZnO）纳米枝阵列进行调控，并研究图形化ZnO枝阵列的性能。首先采用光刻法在IT0导电玻璃上制备图形化ZnO种子层，再用电沉积法在图
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为了减小场发射的屏蔽效应，采用图形化技术对氧化锌（ZnO）纳米枝阵列进行调控，并研究图形化ZnO枝阵列的性能。首先采用光刻法在IT0导电玻璃上制备图形化ZnO种子层，再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等，并测试其场发射性能。研究结果表明，制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列，直径为330μm左右，纳米ZnO主干平均直径为400-500nm，发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构，并且具有良好的场
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