【摘 要】
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提出了一个基于互补金属氧化物半导体(CMOS)65nm工艺、可用于100G直接调制光互连系统的激光器驱动电路,此电路可以以差分形式驱动分布反馈式(DFB)激光二极管(LD)并使其在25 G
【机 构】
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复旦大学,中科院半导体研究所,光梓信息科技（上海）有限公司
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提出了一个基于互补金属氧化物半导体(CMOS)65nm工艺、可用于100G直接调制光互连系统的激光器驱动电路,此电路可以以差分形式驱动分布反馈式(DFB)激光二极管(LD)并使其在25 Gbit/s的速率下工作。电路采用了预加重技术即通过电容耦合的方式将一系列精确控制的脉冲信号输出到负载,从而减小由于阻抗不匹配所导致的数据损耗。此外,电路还包括了线性连续时间均衡(CTLE)电路和并联电感峰化电路来扩展信号的带宽。测试结果表明:此驱动器电路可以为激光器提供60m App的调制电流和60 m A的偏置电流(DC),获得1.2mW光输出功率,电路的功耗为480mW。同时,还观测到了25 Gbit/s的眼图,消光比为4.4dB和抖动2.9ps。
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