基于双掺杂C60:DDQ陷阱的倍增型有机光电探测器

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ggg042001
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采用双掺杂方法,实现了具有高陷阱浓度的有机光电倍增探测器.在优化的单掺杂(活性层为P3HT:PC61BM:C60)器件基础上,保持C60的最优掺杂比例不变(1.0 wt%),同时掺杂C60和DDQ两种电子陷阱,研究不同DDQ掺杂浓度对P3HT:PC61BM活性层中陷阱浓度和探测器光电性能的影响.结果表明,双掺杂C60:DDQ活性层的最大掺杂浓度为1.5 wt%,与单掺杂C60活性层(最大掺杂浓度为1.0 wt%)相比提高了约1.5倍;双掺杂C60:DDQ器件的陷阱浓度为2.02×10^18 cm
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