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采用一种电沉积法室温下制备纳米SnO2薄膜。经研究得到了电沉积SnO2薄膜的最佳工艺条件：电流密度、电沉积时间、主盐浓度、游离酸浓度分别为i=8mA·cm^-2，t=120min，c（SnCl2）=0．02mol／L，c（HNO3）=0．03mol／L。用X射线衍射、红外光谱和扫描电镜、透射电镜等对薄膜的物相和微观结构、表面形貌等进行了研究。结果表明，室温下干燥得到的薄膜由SnO2·xH2O组成，但经过400℃热处理后，逐渐转变成结晶较为完整的四方结构SnO2薄膜．薄膜的表面较为平整、