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根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟
【摘 要】
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根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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真空与低温
【发表日期】
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1994年3期
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