【摘 要】
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将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上，在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜，微沟道深度为1μm，宽度分别为0．35μm，0．50μm，0．70μm，研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu^2+浓度等对
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将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上，在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜，微沟道深度为1μm，宽度分别为0．35μm，0．50μm，0．70μm，研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu^2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响。实验表明，在旋转对流传质下，铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2—3倍，较低的Cu^2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成。
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