【摘 要】
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在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,国网智能电网研究院,
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在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的转化和延伸理论机制,并讨论了不同导电类型的SiC材料在熔融KOH腐蚀液中的腐蚀机制。结果表明基矢面位错在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中转化为刃位错;n型SiC在熔融KOH中的腐蚀,是电化学腐蚀占主导、各向同性的腐蚀过程,而p型SiC表现出各向异性的腐蚀特性。
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