近年来,在高阻外延时,发现一种所谓“自隔离”的现象,即用自产的纯SiCl_4,不掺杂或轻微掺杂时,外延之后,测量两埋层岛之间有隔离现象。用热探针检查,N~+区上的外延层为N型,P区上的外延层仍为P型。曾利用此现象试制过门电路,但低电平较高。关于产生隔离的机理,目前有两种看法。一种认为是外延时,杂质扩散速度比常规要快,纵向扩散比横向快。因此,N~+上外延层是N型,P区上仍为P型。另一种看法认为,这是一种高电阻隔离现象,即由于外延时掺杂很少,外延层仍为N型,但电阻率很高,隔离墙电阻也很高,而所谓隔离现象,乃是探针接触二极管造成。本期发表的“外延自隔离技术”一文,作者的观点是属于前一种观点;但同时也刊登一些不同的意见(见本期“读者园地”)。“百家争鸣是一种发展科学的方法”。在学术问题上贯彻以阶级斗争为纲,开展“百家争鸣”乃是我党一贯的方针政策。比较多的人认为,外延“自隔离”现象确实存在,但深入了解此现象的机理以及如何掌握和利用这种现象则有待于进一步的深入研究和更多的试验加以证实。我们是搞科学研究工作的,我们“要奋发图强,自力更生,树雄心壮志,赶超世界先进科学技术水平”,而不应跟在别人后面一步一步爬行。因此,对科学研究中所发现的现象加以研究和引起争论应该提倡。当然,对待科学问题应该慎重,所提出的论据应有充分的实验结果证实;争论是有根据的,而不是瞎说一气。虽然,人们总是根据自己的经验来观察问题,处理问题,发表意见,有时候就难免带上一些片面性。然而,有些片面性也不是不得了。要求所有的人看问题都必须很全面,这样就会阻碍批评的发展。但是,我们还是要求努力做到看问题比较全面,努力做到不是片面性的。我们对自然界的认识是逐步深入的。“各种不同意见辩论的结果,就能使真理发展”。因此,尽管对“外延自隔离”现象的看法目前意见尚未一致,我们仍然认为将“外延自隔离技术”予以刊载,以便引起大家的兴趣,有助于对问题进一步深入的讨论和研究。实验了衬底杂质对外延层表面电阻率的影响,获得与衬底相同的导电类型的外延层,提出了用于制造集成电路的外延自隔离技术。与惯用的P-N结隔离方法相比,提高了电路集成度,简化了制造工艺,把制造集成电路简化成制造一般平面开关三极管。用外延自隔离技术,制造了相互隔离良好,电学特性正常的试验三极管,并且初步试制了KB_3外延自隔离集成电路。最后试图探讨外延晶体生长过程中,衬底杂质高速度外扩散的机理和外延白隔离可能出现的沟道电流的原因。