【摘 要】
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研究了具有不同氧含量的Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性.通过测量沿ab面和c轴的电阻率发现,在轻欠掺杂到过掺杂区域,单晶沿ab面和c轴的Tc值是比较接近的,但在重
【机 构】
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中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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研究了具有不同氧含量的Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性.通过测量沿ab面和c轴的电阻率发现,在轻欠掺杂到过掺杂区域,单晶沿ab面和c轴的Tc值是比较接近的,但在重欠掺杂区,沿ab面的Tc值比c轴的Tc明显高.从平衡态的相位涨落模型可以得到,由于涨落效应对c轴的临界电流密度的压制作用比对ab面的要强,导致了Tc的各向异性.但这种模型无法解释重欠掺杂超导体中ab面和c轴的Tc如此大的差别.我们认为重欠掺杂超导体中的相位涨落行为不同于其他掺杂超导体中的行为,实验和理论上都值得进一步深入研
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