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概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。
金属有机化学气相沉积的研究进展
【摘 要】
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概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,钢铁研究总院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2012年S1期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)(2009AA03Z116)
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