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5. ,Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with double indium content

,Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with double indium content

来源 :中国物理B（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：benlums

【作 者】

：

Zhao Bi-Jun Chen Xin Ren Zhi-Wei Tong Jin-Hui Wang Xing-Fu Li Dan-Wei Zhuo Xiang-Jing 

【机 构】

：

Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Institute of Opto-Electronic Materials

【出 处】

：

中国物理B（英文版）

【发表日期】

：

2013年8期

【关键词】

：

metal-organic chemical vapor deposition GaN-based solar cells InGaN/GaN multiple 

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