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讨论了Si C材料p^＋/p^-（n^-）/n^型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-（n^-）型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系.结果表明,用4H-Si C设计的p^-型基区二极管的反向恢复性能最优.若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低,则器件的反向恢复时间越短,反向恢复最大电流越小.本文可作为Si C功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例.