【摘 要】
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提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.
【机 构】
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上海海事大学,电磁兼容与静电研究室,上海,200135
【出 处】
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中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会
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提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.01μm、面积为9.09×10-6cm2氧化层,其击穿电压约为208V;若面积不变,厚度缩小为原来的1/10,则其击穿电压降为160V;若面积也等比例缩小,则击穿电压降为20V,其结果是耐ESD的能力大幅度降低.
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