【摘 要】
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该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点.详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程,给
【机 构】
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香港理工大学屋宇设备工程学系香港太阳能科技发展中心
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该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点.详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果.实验结果已证明:采用这种简单而新颖的电淀积方法能制得光伏用的多晶半导体CIGS薄膜材料.通过测试确定了这种材料具有四方晶体结构、特征峰为(n2),(204,220)的多晶CIGS材料.已测得连续分布的薄膜层厚约1.6μm,晶粒的平均大小约2um长,具有太阳电池所需的材料
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