【摘 要】
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为与实验结果进行比对,本文建立了包含外电路的沿面闪络模型,利用粒子模拟方法研究了从阴极三结合点场致电子发射到二次电子倍增的过程。结果表明,介质表面正电荷会使阴极三
【基金项目】
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强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1806)
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为与实验结果进行比对,本文建立了包含外电路的沿面闪络模型,利用粒子模拟方法研究了从阴极三结合点场致电子发射到二次电子倍增的过程。结果表明,介质表面正电荷会使阴极三结合点电场增强,促使二次电子倍增过程的发生。当电子到达阳极时,由于外电路的存在,阴极三结合点的电场强度降低,从而使阴极发射电流减小。此外,还研究了电压和磁场强度对二次电子倍增过程的影响。结果表明,随着电压的增大,二次电子倍增发生的时刻提前,稳定时,阴极电流随电压的平方而增大。随着外加磁场强度的增大,电子在真空中的寿命增长,二次电子倍增稳定时,阴极
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