【摘 要】
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根据Winer模型,联合Winer模型和Street的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD(CPECVD)高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)的淀积率上限rdup和淀积率rd与a-Si:H缺陷密度ND的关系.得到
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根据Winer模型,联合Winer模型和Street的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD(CPECVD)高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)的淀积率上限rdup和淀积率rd与a-Si:H缺陷密度ND的关系.得到的结论是:(1)rdup＝1.6 nm/s(目前实验上rd已接近1.0 nm/s).(2)对每一优化淀积温度(Ts＝200～300°C),存在一相应的优化淀积率rdop,当rd<rdop时,rd增加,ND减小(解释了Tsuda et al的实验曲线的左边).还讨论了在大淀积率下
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