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报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其直径在1.6～15nm以内.并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.
氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅粒
【摘 要】
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报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其直径在1.6～15nm以内.并且在强光照射下观察了
【机 构】
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淮海工学院数理科学系,南阳农业学校
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年12期
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