论文部分内容阅读
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N＋和漏扩散区N＋，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极井使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，