【摘 要】
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在此研宄了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)型双向直流变换器的低功耗驱动控制方法,主要包括两个阶段:在快速恢复二极管(FRD)开通阶段采用负电平驱动,取代传统的高电
【机 构】
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国家电能变换与控制工程技术研宄中心（湖南大学）
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFE0123900);湖南省自然科学基金(2018JJ3048)~~
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在此研宄了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)型双向直流变换器的低功耗驱动控制方法,主要包括两个阶段:在快速恢复二极管(FRD)开通阶段采用负电平驱动,取代传统的高电平驱动,降低FRD深度饱和,减少FRD的导通损耗;而在FRD关断阶段通过退饱和控制来降低FRD的饱和程度,减小FRD的关断损耗。同时,为了避免FRD模式下退饱和控制引起IGBT开通死区增大,造成占空比受限,通过对脉冲宽度调制(PWM)进行改进,消除了退饱和控制对死区的影响。实验表明:退饱和控制可以有效地改善RC-IGBT工作于FRD
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