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利用一维微光电子结构分析工具AMPS-1D（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures-1D）研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流一电压特性。通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响，探索了在不致严重影响器件性能情况下可容许的最高缺陷浓度。模拟结果表明，若半导体膜足够薄，在带边附近有很高的吸收系数，且具有满足一定条件的迁移率，则可使用含有相当高缺陷浓度（10^16～10^17cm^-3数量级）的非晶硅基薄膜制造出性能良好的太阳