射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baijiw

【摘要】

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设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,

【作者】

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李文钧程新红宋朝瑞陈展飞刘军孙玲玲

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

：

体接触图形化SOI LDMOSFET 射频

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设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.

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