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采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm~2,最低值为310A/cm~2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。
大功率GaAs／GaAlAs单量子阱激光器
【摘 要】
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采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm~2,最低值为310A/cm~2,输出光功率大
【机 构】
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机电部第13研究所,机电部第13研究所石家庄050051,石家庄050051
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1993年3期
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