【摘 要】
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在高温条件下,SiC功率器件拥有极具潜力的应用前景.随着SiC技术的进步,目前商业化SiC金属-氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MO
【机 构】
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俄州立大学电气与计算机工程系,智能电网研究院电力电子研究所
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在高温条件下,SiC功率器件拥有极具潜力的应用前景.随着SiC技术的进步,目前商业化SiC金属-氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)模块的电流等级已达到300 A,总栅极电荷超过了1 000 nC.针对300 A SiC MOSFET模块在高温应用领域需要较高驱动电流的问题,进行高温栅极驱动电路的拓扑研究.重点分析BJT推挽式拓扑和CMOS推挽式拓扑,并提出BJT-CMOS混合式拓扑,通过PSpice仿真对上述电路进行对比分析,验证混合式拓扑175℃条件下的高驱动电流特性,所提出的电路均采用商业化高温器件,为推广应用奠定了基础.
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