切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
双向电流应力下的金属膜电迁移机理研究
双向电流应力下的金属膜电迁移机理研究
来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tomjerry2005
【摘 要】
:
对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述.借助于脉冲波形的傅里叶级
【作 者】
:
章晓文
恩云飞
【机 构】
:
信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室
【出 处】
:
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
:
2004年2期
【关键词】
:
金属铝膜
纯交流应力
一般交流应力
电迁移
失效机理
寿命模型
aluminium filmpure AC stressgeneral AC stressEMf
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述.借助于脉冲波形的傅里叶级数分解,研究了一般交流应力条件下金属化电迁移的影响因素,建立了一般交流应力条件下金属铝膜电迁移寿命模型.
其他文献
CMOS数字电路抗热载流子研究
介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些抗热载流子加固方法.通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热
期刊
热载流子效应
可靠性设计
可靠性模拟
HCE reliability design reliability simulation
GaAs MESFET的热电子应力退化
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,
期刊
砷化镓
金属-半导体场效应晶体管
热电子效应
界面态
退化
GaAs MESFET hot electron interface states degrad
电气绝缘材料与安全
通过论述电气绝缘材料的介电、吸湿、耐热、阻燃和机械强度方面的性能与安全的关系,加深对安全原则的理解,以保证电子产品在生产、使用过程中的安全性.
期刊
绝缘材料
性能
安全
介质
insulating materials characteristics safety dielectric
中国医药产品面临的技术性贸易壁垒及应对策略研究
我国医药产品的出口长期未能摆脱以附加价值低的原料药为主、中药产品国际市场份额小、成药产品无法出口的格局,其主要原因是由于发达国家在药品进口上设置的多重技术性贸易
期刊
医药产品
技术性贸易壁垒
对策
基于校园网的网络课堂设计
针对学校教育对网络虚拟教室的需求,构建了"数字校园"的校园网络平台,在此平台上,开发了完备的校园网络功能子网,为网络课堂的建设提供了条件.在校园网的基础上综合运用CAI技
期刊
教育
校园网
网络课堂
education campus net network classroom
知识讲座与培训——医院图书馆知识服务的品牌
随着我国医药卫生体制改革的积极推进,医院的发展面临着重大的机遇和挑战,同时也影响着医院图书馆未来的发展。医院图书馆要创新服务理念,开展读者培训与健康教育服务,实现图书馆
期刊
医院图书馆
读者培训
健康讲座
纳米芯片时代来临
目前,Intel、AMD的90nm芯片已经批量进入市场,而威盛、三星也宣布其90nm芯片研发成功,入市时间不会太久。长期以来,纳米芯片是世界少数几家芯片厂商炒作的焦点,国内芯片企业则与之
期刊
纳米芯片
国家纳米科学中心
纳米时代
INTEL
微电子产业
微电子领域
研发成功
技术会议
AMD
与本文相关的学术论文