论文部分内容阅读
采用0．13μm工艺，4层金属布线，在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1．2V的低压NMOS管作为单元选通器，单元大小为50F2外围电路采用3．3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0．4mA和2mA。读出操作的电流为10μA，芯片疲劳特性次数超过了10^8。