【摘 要】
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一面是FLASH、DRAM等大行其道;一面是CMOS紧跟摩尔定律向更深亚微米阶段发展,在这样的情况之下,一个潜在的问题慢慢浮现,那就是存储技术的物理极限问题。随着工艺技术的演进,
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一面是FLASH、DRAM等大行其道;一面是CMOS紧跟摩尔定律向更深亚微米阶段发展,在这样的情况之下,一个潜在的问题慢慢浮现,那就是存储技术的物理极限问题。随着工艺技术的演进,目前主导存储市场几十年的3种存储器技术——DRAM、EEPROM、SRAM将临近它们的基本物理极限,再继续发展
One side is FLASH, DRAM and other popular; one side is closely follow the Moore CMOS to the deeper sub-micron stage, under such circumstances, a potential problem slowly emerges, that is, the physical limit of storage technology. With advances in process technology, three memory technologies that dominate the storage market for decades - DRAMs, EEPROMs, and SRAMs - will come close to their basic physical limits and continue to evolve
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