【摘 要】
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选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中，选取钴-60γ射线，以不同剂量率进行辐照
【机 构】
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兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室
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选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中，选取钴-60γ射线，以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究，获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明，低剂量率更易引起器件损伤。
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