【摘 要】
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研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电
【机 构】
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研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .并对以上现象进行了分析和解释
The effects of ambient temperature, radiation dose rate, annealing temperature and annealing bias on the threshold voltage of CC40 7 NMOS devices were investigated. It was found that the induced charge traps were lower than room temperature (25 ℃) ), The interfacial charge is less than that at room temperature. The threshold voltages drift differently when irradiated by different γ dose rate. Under the same total dose, the shift of threshold voltage is also large when the radiation dose rate is high. , The anneal speed of NMOS device at 10 ℃ is higher than that at 25 ℃, and the bias voltage at + 5V gate bias is larger than that at floating bias. And the above phenomenon is analyzed and explained
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