【摘 要】
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前言 硅加工工艺已进入低低于30纳米的深业微米领域，因此在单个芯片上实现超过几十亿个晶体管是可行的。从另一个意义上说，可以使单个SoC／ASIC／ASSP（以F简称为SoC，适用于ASIC和ASSP
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前言 硅加工工艺已进入低低于30纳米的深业微米领域，因此在单个芯片上实现超过几十亿个晶体管是可行的。从另一个意义上说，可以使单个SoC／ASIC／ASSP（以F简称为SoC，适用于ASIC和ASSP）实现多个超大和复杂的功能，并且产生大量能够满足消费需要和商业用途应用。此外，许多消费类电子产品的寿命周期较短（一些消费类电子产品的寿命周期仪为3～6个月），并且许多消费类电子产品通常通过在其运行的软件内容来进行区分。
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