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本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V，进行了钻-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中，采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机，实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征，通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线，得出被试器件的抗总剂量水平。