【摘 要】
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采用Cd0.9Zn0.1Te晶圆作为溅射靶材,利用射频磁控溅射法在FTO衬底上制备了CdZnTe薄膜。系统研究了溅射氩气压从0.08~1Pa的变化对CdZnTe薄膜的形貌、结构、成分和电学特性的影
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西北工业大学辐射探测材料与器件工信部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51672216,51372205,51502244)
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采用Cd0.9Zn0.1Te晶圆作为溅射靶材,利用射频磁控溅射法在FTO衬底上制备了CdZnTe薄膜。系统研究了溅射氩气压从0.08~1Pa的变化对CdZnTe薄膜的形貌、结构、成分和电学特性的影响。随着氩气压的降低,薄膜晶粒尺寸下降,形貌由柱状结构转化为片状结构、再转化为细小的颗粒状结构。同时,CZT薄膜逐渐呈现(111)择优取向的闪锌矿结构,内应力减少,并且当气压降至0.5和0.3Pa时薄膜出现了ZnTe和Te相。薄膜中的Zn和Cd原子含量大于靶材中的对应原子含量。薄膜的方块电阻随着氩气压的降低先减少
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