【摘 要】
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采用管式PECVD的方法对硅片进行氮化硅镀膜,通过分析PECVD镀膜原理,探索了硅片表面均一性、卡点的导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性对氮化硅膜色差的影响。结论表
【机 构】
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浙江晶科能源有限公司长江大学化学与环境工程学院
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采用管式PECVD的方法对硅片进行氮化硅镀膜,通过分析PECVD镀膜原理,探索了硅片表面均一性、卡点的导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性对氮化硅膜色差的影响。结论表明,硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异,从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异,表现出不同颜色。当导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性较差时,气体的反应速率差异较大,同一硅片不同区域的氮化硅膜层生长速率不同,膜层厚度也不同,即容易产生色差片。
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"学海无涯,艺无止境","路漫漫兮,吾将上下而求索"。