【摘 要】
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采用第一性原理方法系统地研究了沿（001）、（101）和（111）面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明：对于沿（001）面施加非对称双轴张应
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室
【基金项目】
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上海市自然科学基金（批准号：15ZR1416000）、国家自然科学基金委员会中国工程物理研究院NSAF联合基金（批准号：U1530115）和国家自然科学基金（批准号：51301102）资助的课题.
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采用第一性原理方法系统地研究了沿（001）、（101）和（111）面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明：对于沿（001）面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿（101）面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿（111）面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的
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