提拉法Tm：YAG晶体的生长缺陷研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hayyangxiong

【摘要】

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采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺

【作者】

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宋平新赵志伟徐晓东邓佩珍徐军

【机构】

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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

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Tm:YAG晶体化学腐蚀位错退火 Tm : YAG crystal chemical etch dislocation annealing

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采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究.Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形.在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量.

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